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BFP450H6327XTSA1

更新时间: 2024-11-11 15:44:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
28页 1197K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

BFP450H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.62
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.15 A
基于收集器的最大容量:0.4 pF集电极-发射极最大电压:4 V
配置:SINGLE最高频带:X BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM CARBON
标称过渡频率 (fT):42000 MHzBase Number Matches:1

BFP450H6327XTSA1 数据手册

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BFP450  
Linear Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
Datasheet  
Revision 1.2, 2013-07-29  
RF & Protection Devices  

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