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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7400 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP183T-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC |
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| BFP183TRW | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP183TRW | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFP183TW | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP183W | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr |
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| BFP183W_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COM |
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| BFP193 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
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| BFP193_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFP193E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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