5秒后页面跳转
BDX63B PDF预览

BDX63B

更新时间: 2024-11-04 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
COMSET 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 148K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS

BDX63B 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.57
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):8 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):90 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):7 MHz
Base Number Matches:1

BDX63B 数据手册

 浏览型号BDX63B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX63B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX63B的Datasheet PDF文件第4页 
NPN SILICON DARLINGTONS  
General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching  
applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Ratings  
Value  
Unit  
BDX63  
60  
80  
100  
120  
80  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
BDX63  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
100  
120  
140  
Collector-EmitterVoltage  
Emitter-Base Voltage  
VBE=-1.5 V  
VCEV  
V
V
BDX63  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
BDX63  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
BDX63  
VEBO  
5.0  
8
IC(RMS)  
Collector Current  
IC  
A
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
12  
ICM  
BDX63  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
BDX63  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
Base Current  
0.15  
90  
IB  
A
Watts  
W/°C  
Power Dissipation  
@ TC = 25°  
PT  
BDX63  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TS  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
-55 to +200  
°C  
Page 1 of 4  

与BDX63B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX63C SEME-LAB

获取价格

NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63C COMSET

获取价格

NPN SILICON DARLINGTONS
BDX63C ISC

获取价格

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX64 ISC

获取价格

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX64 COMSET

获取价格

PNP SILICON DARLINGTONS
BDX64_12 COMSET

获取价格

PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX64A COMSET

获取价格

PNP SILICON DARLINGTONS
BDX64A SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
BDX64A ISC

获取价格

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX64B SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3