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BDX63C

更新时间: 2024-09-23 08:52:07
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页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX63C 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

BDX63C 数据手册

 浏览型号BDX63C的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor  
BDX63/A/B/C  
DESCRIPTION  
·Collector Current -IC= 8A  
·High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A  
·Complement to Type BDX62/A/B/C  
APPLICATIONS  
·Designed for audio output stages and general amplifier  
and switching applications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
80  
UNIT  
BDX63  
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
BDX63  
100  
120  
140  
60  
Collector-Base  
Voltage  
VCBO  
V
BDX63A  
BDX63B  
BDX63C  
80  
Collector-Emitter  
Voltage  
VCEO  
V
100  
120  
5
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
Emitter-Base Voltage  
V
A
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Peak  
8
12  
A
Base Current-Continuous  
0.15  
90  
A
Collector Power Dissipation  
PC  
TJ  
W
@ TC=25℃  
Junction Temperature  
200  
-65~200  
Storage Temperature Range  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.94  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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