BDX65B

更新时间： 2024-11-04 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	157K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDX65B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
Base Number Matches：	1

BDX65B 数据手册

NPN SILICON DARLINGTONS

General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDX65

100

120

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

BDX65A

BDX65B

BDX65C

100

120

140

Collector-BaseVoltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

BDX65

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

V_EBO

5.0

I_C(RMS)

Collector Current

I_C

BDX65A

BDX65B

BDX65C

I_CM

BDX65

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

Base Current

0.2

I_B

Watts

W/°C

BDX65A

BDX65B

BDX65C

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_T

117

BDX65

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDX65A

BDX65B

BDX65C

-55 to +200

°C

Page 1 of 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BDX65B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDX65C	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX65C	COMSET	获取价格	NPN SILICON DARLINGTONS
BDX65C	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BDX65C	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDX66	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX66	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device
BDX66	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX66	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BDX66_10	SEME-LAB	获取价格	PNP DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR
BDX66_12	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR