5秒后页面跳转
BDX64A PDF预览

BDX64A

更新时间: 2024-11-04 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
COMSET 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
PNP SILICON DARLINGTONS

BDX64A 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.56
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):12 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):117 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):7 MHz
Base Number Matches:1

BDX64A 数据手册

 浏览型号BDX64A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX64A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX64A的Datasheet PDF文件第4页 
PNP SILICON DARLINGTONS  
General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching  
applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Ratings  
Value  
Unit  
BDX64  
-60  
-80  
-100  
-120  
-60  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
BDX64  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
-80  
-100  
-120  
Collector-EmitterVoltage  
Emitter-Base Voltage  
VBE=-1.5 V  
VCEV  
V
V
BDX64  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
BDX64  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
BDX64  
VEBO  
-5.0  
-12  
IC(RMS)  
Collector Current  
IC  
A
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
-16  
ICM  
BDX64  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
BDX64  
Base Current  
0.2  
IB  
A
Watts  
W/°C  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
Power Dissipation  
@ TC = 25°  
PT  
117  
BDX64  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TS  
BDX64A  
BDX64B  
BDX64C  
-55 to +200  
°C  
Page 1 of 4  

与BDX64A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX64B SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
BDX64B ISC

获取价格

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX64B COMSET

获取价格

PNP SILICON DARLINGTONS
BDX64C COMSET

获取价格

PNP SILICON DARLINGTONS
BDX64C SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
BDX64C ISC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
BDX64C SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX65 COMSET

获取价格

NPN SILICON DARLINGTONS
BDX65 ISC

获取价格

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX65 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors