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BDX66A

更新时间： 2024-01-14 02:51:01

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SEME-LAB		晶体晶体管
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3页	182K
描述
PNP DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR

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BDX66A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.11
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX66A 数据手册

PNP DARLINGTON

SILICON POWER TRANSISTOR

BDX 66, A, B, C

•

Hermetic Metal TO3 Package.

Ideal for General Purpose Low Frequency Switching Applications

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

BDX66 66A 66B 66C

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Peak Collector Current

Base Current

-60V -80V -100V -120V

CEO

CBO

EBO

-60V -80V -100V -120V

-5V

-20A

-0.25A

T = 25°C

Total Power Dissipation at

150W

De-rate Linearly Above 25°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

0.855 W/°C

-55 to +200°C

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Max.

Units

Thermal Resistance, Junction To Case

1.17

°C/W

θJC

Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.

Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However

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Document Number 8760

Issue 1

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Website: http://www.semelab-tt.com

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