BDX64B

更新时间： 2024-11-04 06:41:59

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COMSET		晶体晶体管
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4页	147K
描述
PNP SILICON DARLINGTONS

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BDX64B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
Base Number Matches：	1

BDX64B 数据手册

PNP SILICON DARLINGTONS

General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDX64

-60

-80

-100

-120

-60

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-80

-100

-120

Collector-EmitterVoltage

Emitter-Base Voltage

V_BE=-1.5 V

V_CEV

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

V_EBO

-5.0

-12

I_C(RMS)

Collector Current

I_C

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-16

I_CM

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

Base Current

0.2

I_B

Watts

W/°C

BDX64A

BDX64B

BDX64C

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_T

117

BDX64

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-55 to +200

°C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDX65	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
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