BDX66A

更新时间： 2024-09-23 06:41:59

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	147K
描述
PNP SILICON DARLINGTONS

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BDX66A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
最大集电极电流 (IC)：	16 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	7 MHz	Base Number Matches：	1

BDX66A 数据手册

BDX 66, A, B, C

PNP SILICON DARLINGTONS

High current power darlingtons designed for power amplification and

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDX66

100

120

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

Collector-Emitter Voltage

-V_CEO

BDX66A

BDX66B

BDX66C

100

120

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

-V_CBO

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

-V_EBO

5.0

-I_C(RMS)

Collector Current

-I_C

BDX66A

BDX66B

BDX66C

-I_CM

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

Base Current

0.25

150

-I_B

P_T

BDX66

Watts

W/°C

BDX66A

BDX66B

BDX66C

Power Dissipation

@ T_C= 25°

BDX66

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDX66A

BDX66B

BDX66C

-55 to +200

°C

COMSET SEMICONDUCTORS

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