5秒后页面跳转
BDX65A PDF预览

BDX65A

更新时间: 2024-09-23 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
COMSET 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS

BDX65A 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.56
最大集电极电流 (IC):12 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):117 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):7 MHzBase Number Matches:1

BDX65A 数据手册

 浏览型号BDX65A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX65A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX65A的Datasheet PDF文件第4页 
NPN SILICON DARLINGTONS  
General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching  
applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Ratings  
Value  
Unit  
BDX65  
60  
80  
100  
120  
80  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
BDX65  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
100  
120  
140  
Collector-BaseVoltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
V
V
BDX65  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
BDX65  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
BDX65  
VEBO  
5.0  
12  
IC(RMS)  
Collector Current  
IC  
A
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
16  
ICM  
BDX65  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
BDX65  
Base Current  
0.2  
IB  
A
Watts  
W/°C  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
Power Dissipation  
@ TC = 25°  
PT  
117  
BDX65  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TS  
BDX65A  
BDX65B  
BDX65C  
-55 to +200  
°C  
Page 1 of 4  

与BDX65A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX65B SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device
BDX65B COMSET

获取价格

NPN SILICON DARLINGTONS
BDX65B SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
BDX65B ISC

获取价格

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX65C ISC

获取价格

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX65C COMSET

获取价格

NPN SILICON DARLINGTONS
BDX65C SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
BDX65C SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDX66 ISC

获取价格

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX66 SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device