BDX64C

更新时间： 2024-01-23 08:01:19

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PNP SILICON DARLINGTONS

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BDX64C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz

BDX64C 数据手册

PNP SILICON DARLINGTONS

General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDX64

-60

-80

-100

-120

-60

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-80

-100

-120

Collector-EmitterVoltage

Emitter-Base Voltage

V_BE=-1.5 V

V_CEV

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

V_EBO

-5.0

-12

I_C(RMS)

Collector Current

I_C

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-16

I_CM

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

Base Current

0.2

I_B

Watts

W/°C

BDX64A

BDX64B

BDX64C

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_T

117

BDX64

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-55 to +200

°C

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