BDX66A

更新时间： 2024-01-17 17:29:41

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	91K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDX66A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.11
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX66A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX66/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -16A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= -10A

·Complement to Type BDX67/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

-100

-120

-140

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX66A

BDX66B

BDX66C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-16

-20

Base Current-Continuous

-0.25

150

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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