Datasheet > BDX66

BDX66

更新时间： 2024-01-12 04:29:45

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDX66 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.11
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX66 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDX66

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Designed for power amplification and

switching applications.

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-60

Open collector

-5

-16

I_CM

Collector current(peak)

Base current

-20

I_B

-0.25

150

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

-55~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.17

ꢀ/W

12 3

下载PDF

与BDX66相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BDX66_10	SEME-LAB	PNP DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格
BDX66_12	COMSET	PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR	获取价格
BDX66A	SEME-LAB	PNP DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格
BDX66A	ISC	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor	获取价格
BDX66A	COMSET	PNP SILICON DARLINGTONS	获取价格
BDX66B	SEME-LAB	PNP DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格