BDX65C

更新时间： 2024-11-04 06:41:59

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2页	87K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX65C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BDX65C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX65/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= 5A

·Complement to Type BDX64/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX65

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

100

120

140

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX65A

BDX65B

BDX65C

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

117

200

-65~200

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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