BDX65C

更新时间： 2024-01-26 18:05:30

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX65C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7 MHz	Base Number Matches：	1

BDX65C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX65/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= 5A

·Complement to Type BDX64/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX65

BDX65A

BDX65B

BDX65C

BDX65

100

120

140

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX65A

BDX65B

BDX65C

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

117

200

-65~200

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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