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BDX64C

更新时间： 2024-01-18 04:35:38

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDX64C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz

BDX64C 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDX64C

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·DARLINGTON

·Complement to type BDX65C

APPLICATIONS

·Designed for power amplification and

switching applications.

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

-12

I_CM

Collector current(peak)

Base current

-16

I_B

-0.2

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

117

ꢀ

T_j

-55~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.5

ꢀ/W

12 3

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