BDX64B

更新时间： 2024-11-04 08:52:07

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	91K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDX64B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BDX64B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX64/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= -5A

·Complement to Type BDX65/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

-100

-120

-140

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

-16

Base Current-Continuous

-0.2

117

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与BDX64B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDX64C	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX64C	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BDX64C	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BDX64C	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX65	COMSET	获取价格	NPN SILICON DARLINGTONS
BDX65	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX65	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BDX65	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDX65_12	COMSET	获取价格	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX65A	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3