BDX64

更新时间： 2024-11-04 08:52:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	91K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDX64 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX64/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= -5A

·Complement to Type BDX65/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDX64

BDX64A

BDX64B

BDX64C

BDX64

-100

-120

-140

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX64A

BDX64B

BDX64C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

-16

Base Current-Continuous

-0.2

117

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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