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BD438/D

更新时间： 2024-01-09 20:27:04

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4页	49K
描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD438/D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD438/D 数据手册

ON Semiconductort

BD438

BD440

BD442

Plastic Medium Power Silicon

PNP Transistor

. . . for amplifier and switching applications. Complementary types

are BD437 and BD441.

4.0 AMPERES

POWER TRANSISTORS

PNP SILICON

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

BD438

BD440

BD442

Vdc

CEO

CBO

EBO

Collector–Base Voltage

BD438

BD440

BD442

Vdc

Emitter–Base Voltage

Collector Current

Base Current

5.0

4.0

1.0

Vdc

Adc

CASE 77–09

TO–225AA TYPE

Total Device Dissipation @ T = 25_C

288

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

3.5

_C/W

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

March, 2001 – Rev.9

BD438/D

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