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BD438TG PDF预览

BD438TG

更新时间： 2024-02-26 12:40:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD438TG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：4 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：85JESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：36 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD438TG 数据手册

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BD436G, BD438G, BD440G,  
BD442G  
Plastic Medium Power  
Silicon PNP Transistor  
This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors can be  
used for for amplifier and switching applications. Complementary  
types are BD437 and BD441.  
http://onsemi.com  
4.0 AMP POWER  
Features  
TRANSISTORS PNP SILICON  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
COLLECTOR 2, 4  
BASE 3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
BD436G  
BD438G  
BD440G  
BD442G  
V
V
V
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
32  
45  
60  
80  
EMITTER 1  
Collector−Base Voltage  
BD436G  
BD438G  
BD440G  
BD442G  
Vdc  
32  
45  
60  
80  
TO−225  
CASE 77−09  
STYLE 1  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
5.0  
4.0  
1.0  
Vdc  
Adc  
Adc  
1
2
3
I
C
Base Current  
I
B
MARKING DIAGRAM  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
36  
288  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
YWW  
BD4xxG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
BD4xx = Device Code  
xx = 36, 36T, 38, 38T, 40, 42  
= Pb−Free Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
G
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
3.5  
°C/W  
q
ORDERING INFORMATION  
JC  
Device  
Package  
Shipping  
BD436G  
TO−225  
500 Units/Box  
(Pb−Free)  
BD436TG  
BD438G  
BD438TG  
BD440G  
BD442G  
TO−225  
(Pb−Free)  
50 Units/Rail  
500 Units/Box  
50 Units/Rail  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
TO−225  
(Pb−Free)  
TO−225  
(Pb−Free)  
TO−225  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
TO−225  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
December, 2013 − Rev. 16  
BD438/D  
1234

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BD438TG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD438G ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD438 ONSEMI

完全替代

 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD438S ONSEMI

类似代替

 4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor

与BD438TG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD439 TRSYS

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 		Medium Power Linear and Switching Applications
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获取价格

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