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BD440

更新时间： 2024-01-09 23:34:02

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD440 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-126
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.15
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD440 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD440 BD442

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD439,BD441

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

-80

-60

-80

-5

UNIT

BD440

BD442

BD440

BD442

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current

Open collector

-4

-7

-1

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD440G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD440S	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD440S	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 60 V PNP Power Bipolar Jucntion Transistor
BD441	CENTRAL	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD441	COMSET	获取价格	SILICON NPN POWER TRANSISTORS
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