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BD442 PDF预览

BD442

更新时间： 2024-01-22 13:32:09
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 515K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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BD442 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD442 数据手册

 浏览型号BD442的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
BD439 BD441 NPN  
BD440 BD442 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD439, BD440  
series types are Complementary Silicon Power  
Transistors, manufactured by the epitaxial base process,  
designed for medium power, low speed switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
BD439  
BD440  
BD441  
BD442  
C
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
60  
60  
60  
80  
80  
80  
V
CBO  
V
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
V
5.0  
4.0  
7.0  
1.0  
36  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current (t≤10ms)  
Base Current  
I
A
C
I
A
CM  
I
A
B
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
100  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
3.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
1.0  
UNITS  
μA  
μA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=5.0V  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CE  
EB  
CBO  
CEO  
BV  
I =100mA (BD439, BD440)  
60  
80  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
BV  
I =100mA (BD441, BD442)  
V
C
V
V
I =2.0A, I =200mA  
0.8  
1.5  
V
C
B
V
=1.0V, I =2.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA (BD439, BD440)  
20  
15  
40  
25  
15  
3.0  
C
=5.0V, I =10mA (BD441, BD442)  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
=1.0V, I =2.0A (BD439, BD440)  
FE  
C
=1.0V, I =2.0A (BD441, BD442)  
FE  
C
f
=1.0V, I =250mA  
MHz  
T
C
R1 (2-February 2009)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD442G ONSEMI

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 		Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD442LEADFREE CENTRAL

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BD442S FAIRCHILD

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BD449 INFINEON

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BD4505N SHUNYE

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 		45 AMP BLOCK DIODES
BD450M2EFJ-C ROHM

获取价格

 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ
BD450M2EFJ-CE2 ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 5V, 0.35V Dropout, PDSO8, HTSOP-8

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