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BD442S PDF预览

BD442S

更新时间： 2024-02-22 11:19:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD442S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-126
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD442S 数据手册

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BD440/442  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD439, BD441 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD440  
: BD442  
- 60  
- 80  
V
V
CES  
CEO  
EBO  
: BD440  
: BD442  
- 60  
- 80  
V
V
: BD440  
: BD442  
- 60  
- 80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
V
A
I
I
I
- 4  
- 7  
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
36  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 1 50  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD440  
: BD442  
I = - 100mA, I = 0  
-60  
-80  
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
: BD440  
: BD442  
V
V
= - 60V, I = 0  
= - 80V, I = 0  
E
- 100  
- 100  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
I
: BD440  
: BD442  
V
V
= - 60V, V = 0  
- 100  
- 100  
µA  
µA  
CES  
CE  
CE  
BE  
= - 80V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
CE  
C
h
: BD440  
: BD442  
: BD440  
: BD442  
: BD440  
: BD442  
= - 5V, I = - 10mA  
20  
15  
40  
40  
25  
15  
140  
140  
140  
140  
FE  
C
V
V
= - 1V, I = - 500mA  
C
CE  
CE  
= - 1V, I = - 2A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.8  
- 1.5  
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
V
= - 5V, I = - 10mA  
-0.58  
V
V
BE  
CE  
CE  
C
= -1 V, I = - 2A  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= - 1V, I = - 250mA  
3
MHz  
T
CE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD442S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD442STU FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD442G ONSEMI

类似代替

 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD442 FAIRCHILD

功能相似

 Medium Power Linear and Switching Applications

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD442STU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD442STU ONSEMI

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BD449 INFINEON

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 		PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD4505N SHUNYE

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 		45 AMP BLOCK DIODES
BD4505P SHUNYE

获取价格

 		45 AMP BLOCK DIODES
BD450M2EFJ-C ROHM

获取价格

 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ
BD450M2EFJ-CE2 ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 5V, 0.35V Dropout, PDSO8, HTSOP-8
BD450M2FP3-C ROHM

获取价格

 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ
BD450M2WEFJ-C ROHM

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 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ
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