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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD442G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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| BD442LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD442S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD442STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD442STU | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor, 1920-TUBE |
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| BD449 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
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| BD4505N | SHUNYE |
获取价格 |
45 AMP BLOCK DIODES |
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| BD4505P | SHUNYE |
获取价格 |
45 AMP BLOCK DIODES |
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| BD450M2EFJ-C | ROHM |
获取价格 |
BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ |
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| BD450M2EFJ-CE2 | ROHM |
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Fixed Positive LDO Regulator, 5V, 0.35V Dropout, PDSO8, HTSOP-8 |
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