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BD441STU

更新时间： 2024-01-01 14:41:58
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD441STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD441STU 数据手册

 浏览型号BD441STU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD441STU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD441STU的Datasheet PDF文件第4页 
BD439/441  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD440, BD442 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
CES  
CEO  
EBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
V
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
I
I
I
4
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
7
A
CP  
B
1
36  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD439  
: BD441  
I
= 100mA, I = 0  
60  
80  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, I = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CB  
E
= 80V, I = 0  
E
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, V = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EB  
CE  
C
h
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
= 5V, I = 10mA  
20  
15  
40  
40  
25  
15  
130  
130  
140  
140  
FE  
C
V
V
=1V, I = 500mA  
C
CE  
CE  
= 1V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 2A, I = 0.2A  
0.8  
1.5  
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 5V, I = 10mA  
0.58  
V
V
CE  
CE  
C
= 1V, I = 2A  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= 1V, I = 250mA  
3
MHz  
T
CE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD441STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD441G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD436G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
TIP49 ONSEMI

功能相似

 POWER TRANSISTORS NPN SILICON

与BD441STU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD442 MOTOROLA

获取价格

 		Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD442 ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD442 INFINEON

获取价格

 		PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD442 SECOS

获取价格

 		Plastic Encapsulate Transistors
BD442 CENTRAL

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD442 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD442 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD442 COMSET

获取价格

 		SILICON PNP POWER TRANSISTORS
BD442 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD442 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications

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