5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD439_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD439-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD439G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD439LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD439S | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD439S | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| BD439TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD440 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
|
| BD440 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD440 | SECOS |
获取价格 |
Plastic Encapsulate Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
