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BD439 PDF预览

BD439

更新时间： 2024-01-13 11:23:53
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD439 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.71
JESD-609代码：e0峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BD439 数据手册

 浏览型号BD439的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD439的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD439的Datasheet PDF文件第4页 
BD439/441  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD440, BD442 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
CES  
CEO  
EBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
V
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
I
I
I
4
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
7
A
CP  
B
1
36  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD439  
: BD441  
I
= 100mA, I = 0  
60  
80  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, I = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CB  
E
= 80V, I = 0  
E
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, V = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EB  
CE  
C
h
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
= 5V, I = 10mA  
20  
15  
40  
40  
25  
15  
130  
130  
140  
140  
FE  
C
V
V
=1V, I = 500mA  
C
CE  
CE  
= 1V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 2A, I = 0.2A  
0.8  
1.5  
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 5V, I = 10mA  
0.58  
V
V
CE  
CE  
C
= 1V, I = 2A  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= 1V, I = 250mA  
3
MHz  
T
CE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD439 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD439S ONSEMI

功能相似

 Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD439G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

与BD439相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD439_00 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD439-BP MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BD439G ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD439LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD439S FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD439S ONSEMI

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 		Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD439TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BD440 INFINEON

获取价格

 		PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD440 CENTRAL

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD440 SECOS

获取价格

 		Plastic Encapsulate Transistors

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