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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD439S
BD439S PDF预览

BD439S

更新时间： 2024-09-24 13:01:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 2000/BULK

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BD439S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.13
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD439S 数据手册

 浏览型号BD439S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD439S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD439S的Datasheet PDF文件第4页 
BD439/441  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD440, BD442 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
CES  
CEO  
EBO  
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
V
V
: BD439  
: BD441  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
I
I
I
4
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
7
A
CP  
B
1
36  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD439  
: BD441  
I
= 100mA, I = 0  
60  
80  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, I = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CB  
E
= 80V, I = 0  
E
: BD439  
: BD441  
V
V
= 60V, V = 0  
100  
100  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EB  
CE  
C
h
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
: BD439  
: BD441  
= 5V, I = 10mA  
20  
15  
40  
40  
25  
15  
130  
130  
140  
140  
FE  
C
V
V
=1V, I = 500mA  
C
CE  
CE  
= 1V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 2A, I = 0.2A  
0.8  
1.5  
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 5V, I = 10mA  
0.58  
V
V
CE  
CE  
C
= 1V, I = 2A  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= 1V, I = 250mA  
3
MHz  
T
CE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD439S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD439S ONSEMI

类似代替

 Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD439LEADFREE CENTRAL

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD439G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

与BD439S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD439TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BD440 INFINEON

获取价格

 		PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD440 CENTRAL

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD440 SECOS

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 		Plastic Encapsulate Transistors
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 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD440 STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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