BD438

更新时间： 2024-11-27 22:27:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体开关晶体管局域网
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5页	46K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD438 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.14	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD438 数据手册

BD434/436/438

Medium Power Linear and Switching

Applications

•

Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

CBO

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

CES

CEO

EBO

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

- 5

- 4

*Collector Current (Pulse)

Base Current

- 7

- 1

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

STG

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5

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