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BD438

更新时间： 2024-02-04 01:07:36

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3页	74K
描述
SILICON PNP POWER TRANSISTORS

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BD438 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD438 数据手册

BD434 – BD436 – BD438

SILICON PNP POWER TRANSISTORS.

The BD434-BD436-BD438 are PNP Transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package.

They are recommended for use in medium power linear and switching applications.

NPN complements are BD433-BD435-BD437.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

Ratings

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Value

Unit

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

-22

-32

-45

-22

-32

-45

V_CEO

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

P_C

T_J

T_Stg

Emitter-Base Voltage (I_c= 0)

Collector Current

Collector Current Peak

Base Current

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-5

-4

-7

-1

T_C= 25°C

°C

150

-65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-Case

Thermal Resistance, Junction-ambient in free air

3.5

100

°C/W

R_thJ-c

R_thJ-a

25/09/2012

27/08/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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