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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 43 weeks 1 day | 风险等级： | 5.12 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 85 | JESD-609代码： | e3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD438/D | ETC |
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Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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| BD438-BP | MCC |
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暂无描述 |
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| BD438-BP-HF | MCC |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| BD438G | ONSEMI |
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Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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| BD438LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD438S | FAIRCHILD |
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Medium Power Linear and Switching Applications |
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| BD438S | ONSEMI |
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4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD438STU | FAIRCHILD |
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PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD438STU | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD438TG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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