Datasheet > BD438

BD438

更新时间： 2024-01-16 15:49:47

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD438 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD438 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

BD433

BD435

BD437

BD439

BD441

NPN

BD434

BD436

BD438

BD440

BD442

PNP

TO126

Plastic Package

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

BD433

BD434

BD435

BD436

BD437

BD438

BD439

BD440

BD441

BD442

UNIT

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

5.0

4.0

7.0

1.0

Collector Current

I_CM

Collector Peak Current (t=10ms

I_B

Base Current

Total Dissipation @ T_C=25ºC

Total Dissipation @ T_a=25ºC

Derate above 25ºC

P_D

36.0

1.25

mW/ ºC

Operating and Storage

Junction Temperature Range

T_j, T_stg

- 65 to 150

ºC

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_{th (j-c)}

R_{th (j-a)}

ºC/W

3.5

Junction to Ambient in free air

100

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

TEST CONDITION

DESCRIPTION

SYMBOL

BD433 BD435 BD437 BD439 BD441

BD434 BD436 BD438 BD440 BD442

UNIT

V_CB=Rated V_CBO,I_E=0

V_BE=0, V_CE=Rated V_CES

V_EB=5V_,I_C=0

I_CBO

I_CES

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

<100 <100 <100

<100

<1.0

>60

<100

<1.0

>80

I_EBO

<1.0

>22

<1.0

>32

<1.0

>45

I_C=100mA, I_B=0

*V_{CEO (sus)}

Collector Emitter Sustaining

Voltage

I_C=2.0A, I_B=0.2A

*V_{CE (sat)}

<0.5

<0.6

<0.8

Collector Emitter Saturation

Voltage

I_C=10mA, V_CE=5V ALL

*V_{BE (on)}

Base Emitter On Voltage

typ 0.58

<1.2

I_C=2.0A, V_CE=1V

<1.1

<1.5

12 3

中文翻译

下载PDF

与BD438相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD438/D	ETC	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD438-BP	MCC	获取价格	暂无描述
BD438-BP-HF	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
BD438G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD438LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD438S	FAIRCHILD	获取价格	Medium Power Linear and Switching Applications
BD438S	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
BD438STU	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD438STU	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
BD438TG	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor