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BD434S

更新时间: 2024-11-13 12:28:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

BD434S 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-126
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.24
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:22 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):36 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

BD434S 数据手册

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BD434/436/438  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD434  
: BD436  
: BD438  
- 22  
- 32  
- 45  
V
V
V
V
CES  
CEO  
EBO  
: BD434  
: BD436  
: BD438  
- 22  
- 32  
- 45  
V
V
V
V
V
: BD434  
: BD436  
: BD438  
- 22  
- 32  
- 45  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
- 4  
V
A
I
I
I
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 7  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
36  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD434STU FAIRCHILD

完全替代

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