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BD435P

更新时间： 2024-11-29 04:13:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
TRANSISTOR 4 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Power

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BD435P 数据手册

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M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
BD433/BD435/BD437  
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Features  
•
•
•
x
Intended for use in medium power near and switching applications  
With TO-126 package  
The complementary PNP type is BD434, BD436, BD438  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Rating  
22  
32  
45  
22  
32  
45  
Unit  
V
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
BD433  
BD435  
BD437  
BD433  
BD435  
BD437  
BD433  
BD435  
BD437  
A
K
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
D
VEBO  
R
5.0  
E
B
IC  
PC  
TJ  
Collector Current  
4.0  
1.25  
-55 to +150  
A
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
R
R
TSTG  
-55 to +150  
N
P
M
F
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
G
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
L
OFF CHARACTERISTICS  
H
C
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=100mAdc, IB=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
22  
32  
45  
---  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
1
2
3
22  
32  
45  
---  
---  
---  
(IC=100IAdc, IE=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
Vdc  
Vdc  
J
J
Q
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100IAdc, IC=0)  
5
---  
Collector-Base Cutoff Current  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
(VCB=22Vdc,IE=0)  
(VCB=32Vdc,IE=0)  
(VCB=45Vdc,IE=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCE=22Vdc,IE=0)  
(VCE=32Vdc,IE=0)  
(VCE=45Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
BD433  
BD435  
BD437  
---  
1.0  
uAdc  
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ICEO  
BD433  
BD435  
BD437  
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---  
10  
uAdc  
uAdc  
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1.0  
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ꢍꢎꢔꢍ  
ꢕꢕꢎꢗꢍ  
ꢕꢍꢎꢑꢍꢉ  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2007/05/06  
1 of 3  
123

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与BD435P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD435S ONSEMI

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 		Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD435S FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD435S_11 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD435STU ONSEMI

获取价格

 		Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD435STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD435STU_11 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD435STU_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD436 INFINEON

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 		PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD436 COMSET

获取价格

 		SILICON PNP POWER TRANSISTORS
BD436 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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