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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD435_05 | ONSEMI | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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| BD435G | ONSEMI | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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| BD435LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD435P | MCC | TRANSISTOR 4 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Pu |
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| BD435S | ONSEMI | Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
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| BD435S | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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