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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-126 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD435STU | ONSEMI |
类似代替  |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| BD435S | ONSEMI |
功能相似 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD435S_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BD435STU | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| BD435STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD435STU_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD435STU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD436 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
|
| BD436 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
|
| BD436 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
|
| BD436 | MCC |
获取价格 |
PNP Silicon Power Transistors |
|
| BD436 | TRSYS |
获取价格 |
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS |
|
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