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BD435STU_NL

更新时间： 2024-11-04 19:34:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	41K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3

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BD435STU_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD435STU_NL 数据手册

BD433/435/437

Medium Power Linear and Switching

Applications

•

Complement to BD434, BD436 and BD438 respectively

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

CBO

: BD433

: BD435

: BD437

CES

CEO

EBO

: BD433

: BD435

: BD437

: BD433

: BD435

: BD437

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

STG

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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