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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.83 | Samacsys Description： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 36 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIP127 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD435_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD435G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD435LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD435P | MCC |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Pu |
|
| BD435S | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| BD435S | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD435S_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD435STU | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| BD435STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD435STU_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
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