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BD435

更新时间： 2024-02-06 23:37:37

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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BD435 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD435 数据手册

RoHS

BD433/435/437

BD433/435/437 TRANSISTOR (NPN)

TO-126

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

1.25

W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

Collector current

I_CM:

2. COLLECTOR

3. BASE

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

BD433

22 V

BD435 32 V

BD437 45 V

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BD433

V_(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

Ic=100µA, I_E=0

BD435

BD437

BD433

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=100mA, I_B=0

BD435

BD437

I_E=100µA, I_C=0

_CB=22V, I_E=0

BD433

BD435

V_CB=32V, I_E=0

V_CB=45V, I_E=0

µA

BD437

BD433

BD435

V_CE=22V, I_E=0

I_CEO

V_CE=32V, I_E=0

V_CE=45V, I_E=0

V_EB=5V, I_E=0

µA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

BD437

I_EBO

h_FE(1)

_CE=1V, I_C=500mA

V_CE=5V, I_C=10mA BD433/BD435

BD437

h_FE(2)

DC current gain

V_CE=1V, I_C=2A

BD433/BD435

BD437

h_FE(3)

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

I_C=2A, I_B=0.2A

V_CE=1V, I_C=2A

BD433/BD435

0.5

0.6

1.1

1.2

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

BD437

BD433/BD435

BD437

V_BE

Base-emitter voltage

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=1V, I_C=250mA

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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