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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.25 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD435_05 | ONSEMI |
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Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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| BD435G | ONSEMI |
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Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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| BD435LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD435P | MCC |
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TRANSISTOR 4 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Pu |
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| BD435S | ONSEMI |
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Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
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| BD435S | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD435S_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BD435STU | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
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| BD435STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD435STU_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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