Datasheet > BD435

BD435

更新时间： 2024-02-04 17:38:51

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体开关晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	99K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications Base current IB 1 A

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD435 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD435 数据手册

Product specification

BD435

Features

Medium Power Linear and Switching Applications

1 EMITTER

2 COLLECTOR

3 BASE

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

I^CP

I^B

Collector dissipation

P^C

Junction temperature

Storage temperature range

150

T^stg

-65 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector-emitterSustainingVoltage

CollectorCut-offCurrent

Symbol

V_CEO(SUS)

I_CBO

Testconditons

Min

Typ Max

Unit

I^C= 100 mA, I^B= 0

V_{CB = 32 V, IE = 0}

V_{CE = 32 V, VBE = 0}

V^EB= 5 V, I^C= 0

3 2

ì A

1 0 0

ì A

CollectorCut-offCurrent

EmitterCut-offCurrent

I^CEO

I^EBO

m A

V^CE= 5 V, I^C=10mA

130

DCCurrentGain

h^FE

V^CE= 1 V ,I^C= 500mA

140

V^CE= 1 V, I^C= 2 A

5 0

Collector-emittersaturationvoltage

CE (sat)

I^C= 2 A, I^B=0.2A

0.5

0.2

Base-EmitterONVoltage

V_{BE (on)}

f^T

V^CE= 1 V, I^C= 2 A

1 . 1

CurrentGainBandwidthProduct

V^CE= 1 V, I^C=250mA

MHz

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

下载PDF

与BD435相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD435_05	ONSEMI	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor	获取价格
BD435G	ONSEMI	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor	获取价格
BD435LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
BD435P	MCC	TRANSISTOR 4 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Pu	获取价格
BD435S	ONSEMI	Medium Power NPN Bipolar Power Transistor	获取价格
BD435S	FAIRCHILD	NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),	获取价格