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BCP69L-25-AA3-R

更新时间: 2024-01-04 18:19:35
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页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4

BCP69L-25-AA3-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:PACKAGE-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.04
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

BCP69L-25-AA3-R 数据手册

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BC817  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Typical Pulsed Current Gain vs Collector Current  
Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current  
500  
0.6  
ß = 10  
VCE = 5V  
400  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
125  
25℃  
125℃  
25℃  
300  
200  
100  
0
-40℃  
0.1  
0
-40℃  
0.001  
0.01  
0.1  
1 2  
0.01  
0.1  
1
3
Collector Current, IC (A)  
Collector Current, IC (A)  
Base-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current  
Base-Emitter On Voltage vs Collector Current  
1
1.2  
1
ß = 10  
-40  
-40℃  
0.8  
25℃  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.6  
150℃  
25℃  
125℃  
0.4  
0.2  
VCC = 5V  
1
1
10  
100  
1000  
0.001  
0.01  
0.1  
Collector Current, IC (mA)  
Collector Current, IC (A)  
Collector-Cutoff Current vs Ambient Temperature  
100  
Collector-Base Capacitance vs Collector-Base Voltage  
40  
30  
20  
10  
0
VCB = 40V  
10  
1
0.1  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
4
8
12 16 20 24 28  
Collector-Base Voltage, VCB (V)  
Ambient Temperature, TA ()  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3
www.unisonic.com.tw  
QW-R206-025.B  

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