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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP69TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP69TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP69TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.025 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP69TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP69-XX-AA3-F-R | UTC |
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NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
|
| BCP70 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current) |
|
| BCP70M | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current) |
|
| BCP71 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver |
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| BCP71M | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver |
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| BCP72 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current Hi |
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