BCP70M

更新时间： 2024-11-10 22:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current)

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BCP70M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SCT595, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCP70M 数据手册

BCP 70M

PNP Silicon AF Power Transistor

Preliminary data

• For AF driver and output stages

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCP 70M

PBs Q62702-C2596 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B 5 = C SCT-595

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

200

Peak base current

500

Total power dissipation, T ≤ 94 °C

1.7

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

-65...+150

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤ 88

≤ 33

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Jun-05-1998

1998-11-01

12 3 4

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