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BCP71M

更新时间： 2024-11-10 22:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器开关晶体管
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4页	33K
描述
NPN Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver and output stages High collector current)

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BCP71M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SCT-595, 5 PIN
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.55
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCP71M 数据手册

BCP 71M

NPN Silicon AF Power Transistor

Preliminary data

• Drain switch for RF power amplifier stages

• For AF driver and output stages

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCP 71M

PCs Q62702-C2597 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B 5 = C SCT-595

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

200

Peak base current

500

1.7

Total power dissipation, T ≤ 94 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

-65...+150

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤ 88

≤ 33

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Au -12-1998

1998-11-01

12 3 4

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