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BCP69TA

更新时间： 2024-01-12 21:47:41
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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BCP69TA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.02
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

BCP69TA 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BCP69  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
*
For AF drivers and output stages  
High collector current and Low VCE(sat)  
C
COMPLEMENTARY TYPE – BCP68  
E
C
PARTMARKING DETAIL –  
BCP69  
BCP69 – 25  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-25  
-20  
-5  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
-1  
A
Ptot  
2
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -25  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=-10µA  
IC=- 30mA  
IE=-10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-5  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-10  
nA  
µA  
V
CB=-25V  
VCB=-25V, Tamb=150°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-10  
VEB=-5V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.5  
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
- 0.6  
V
V
IC=-5A, VCE=-10V*  
IC=-1A, VCE=-1V*  
-1.0  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
63  
IC=-5mA, VCE=-10V*  
IC=-500mA, VCE=-1V*  
IC=-500mA, VCE=-1V*  
BCP69  
400  
400  
BCP69-25 160  
250  
100  
Transition Frequency  
fT  
MHz  
IC=-100mA, VCE=-5V,  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet.  
3 - 20  
1

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与BCP69TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCP69-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCP69TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BCP69TRL YAGEO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BCP69TRL NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCP69TRL13 NXP

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 		TRANSISTOR 0.025 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCP69TRL13 YAGEO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BCP69-XX-AA3-F-R UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
BCP70 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current)
BCP70M INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Power Transistor (For AF driver and output stages High collector current)
BCP71 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon AF Power Transistor (Drain switch for RF power amplifier stages For AF driver

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