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BCP69L-25-AA3-R

更新时间： 2024-02-17 18:02:04

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4页	80K
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4

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BCP69L-25-AA3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PACKAGE-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.04
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

BCP69L-25-AA3-R 数据手册

BC817

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ꢀ

TYPICAL CHARACTERISTICS(cont.)

350

300

500

V_CE= 10V

400

300

200

100

250

SOT-23

200

150

100

Collector Current, I_C(mA)

Gain Bandwidth Product vs Collector Current

100

1000

25 50

100 125 150

Temperature (℃)

Power Dissipation vs Ambient Temperature

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

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QW-R206-025.B

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