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BCP69T1/D

更新时间： 2024-01-13 22:44:48
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
PNP Epitaxial Transistor

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BCP69T1/D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.58外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

BCP69T1/D 数据手册

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ON Semiconductort  
BCP69T1  
ON Semiconductor Preferred Device  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistor  
This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low  
voltage, high current applications. The device is housed in the  
SOT-223 package, which is designed for medium power surface  
mount applications.  
MEDIUM POWER  
PNP SILICON  
HIGH CURRENT  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
• High Current: I = –1.0 Amp  
C
• The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow.  
• SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved  
thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating  
the possibility of damage to the die.  
4
1
2
3
• Available in 12 mm Tape and Reel  
Use BCP69T1 to order the 7 inch/1000 unit reel.  
Use BCP69T3 to order the 13 inch/4000 unit reel.  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
• NPN Complement is BCP68  
COLLECTOR 2,4  
BASE  
1
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
–25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–20  
–5.0  
–1.0  
I
C
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
CE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance — Junction-to-Ambient (surface mounted)  
R
83.3  
°C/W  
θ
JA  
L
Lead Temperature for Soldering, 0.0625″ from case  
Time in Solder Bath  
T
260  
10  
°C  
Sec  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 3  
BCP69T1/D  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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