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BCP69T1/D

更新时间： 2024-01-27 08:38:47

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8页	52K
描述
PNP Epitaxial Transistor

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BCP69T1/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.58	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BCP69T1/D 数据手册

BCP69T1

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

300

200

100

200

100

= -10 V

T = 25°C

= -1.0 V

T = 25°C

f = 30 MHz

-10

-100

-1000

-10

-100

-1000

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 6. DC Current Gain

Figure 7. Current Gain Bandwidth Product

160

120

-1.0

-ā0.8

T = 25°C

@ I /I = 10

C B

(BE)sat

-ā0.6

-ā0.4

@ V = -1.0 V

(BE)on

-ā0.2

@ I /I = 10

C B

(CE)sat

Cob

-1.0

-10

-100

-1000

-ā5.0

-1.0

-ā2.0

-1.5

-ā3.0

-ā2.0

-ā4.0

-ā2.5

-ā5.0

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 8. Saturation and “ON” Voltages

Figure 9. Capacitances

http://onsemi.com

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