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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 43 A | 最大漏极电流 (ID)： | 43 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 780 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 172 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM100DUM90 | ADPOW |
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Dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM100DUM90G | MICROSEMI |
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Dual Common Source MOSFET Power Module |
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| APTM100H18F | ADPOW |
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Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM100H18FG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM100H18FG-Module | MICROCHIP |
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FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM100H35FT | ADPOW |
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Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM100H35FT3 | ADPOW |
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Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM100H35FT3G | MICROSEMI |
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Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM100H35FT3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM100H35FTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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