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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM100H35FT3
APTM100H35FT3 PDF预览

APTM100H35FT3

更新时间： 2024-11-20 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 320K
描述
Full - Bridge MOSFET Power Module

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APTM100H35FT3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMPLEX最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.42 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X25
元件数量：4端子数量：25
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTM100H35FT3 数据手册

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APTM100H35FT3  
VDSS = 1000V  
Full - Bridge  
RDSon = 350mΩ typ @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 22A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Q1  
Q3  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
18  
19  
11  
10  
22  
23  
7
8
Features  
•
Power MOS 7® FREDFETs  
Q2  
Q4  
32  
-
-
-
-
-
-
Low RDSon  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
4
3
26  
27  
Fast intrinsic reverse diode  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
29  
30  
31  
R1  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
15  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
Benefits  
15  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
•
•
Low profile  
12  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
1000  
V
Tc = 25°C  
22  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
17  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
88  
Gate - Source Voltage  
±30  
420  
390  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
25  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
3000  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 – 6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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